• Flash存储芯片：NORFlash、NANDFlash、UFS和eMMC的比较与解析
•   前言  在数字化时代的今天，数据的存储和管理变得越来越重要。各种各样的存储技术应运而生，以满足不同的使用场景和需求。其中，Flash存储芯片以其非易失性、可擦写性和可编程性等优势，占据了重要地位。本博客将详细介绍Flash存储芯片中的NORFlash、NANDFlash、UFS和eMMC，分析它们的用途、优缺点，并对其进行比较。  1.NorFlash  1.1用途特性  NORFlash是可编程存储器的一种，因其具有直接运行应用程序的能力而广受欢迎，由于存储容量较小，一般只有几MB~几十MB，因此适合存储较小的程序和数据。由于其读取速度快且可靠性高，NORFlash在嵌入式系统和单片机...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 存储芯片 NOR Flash NAND Flash UFS eMMC 发帖人：雷龙发展 发帖时间：2024-04-03 11:55:00

• 什么是NAND型Flash存储器？
• 前言NANDFlash和NORFlash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORFlash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDFlash结构,后者的单元电路尺寸几乎只是NOR器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。1.NANDFlashROMNANDFlashROM应该是目前最热门的存储芯片了。因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。比如你买手机，肯定会考虑64GB，还是256GB？买笔记本是买256GB，还是512GB容量的硬盘呢？（目前电脑大部分采用了基...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 闪存芯片,存储芯片,NOR FLASH,SPI NOR FLASH,SD NAND FLASH 发帖人：雷龙发展 发帖时间：2024-03-01 17:32:00

• 非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
• 在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之间的差异Flash和EEPROM均被视为非易失性存储器。非易失性存储器意味着该设备能够保存数据且无需持续供电，即使关闭电源也能保存数据信息。它们都是电子可写和可擦除存储器，用以存储单片机的应用程序及数据信息。这些数据可在芯片上或芯片外存储信息。尽管Flash和EEPROM设备都可以存储嵌入式设备中使用的信息，但是它们的体系结构和用...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,Flash,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-01-29 14:38:00

• NANDFLASH系统的权衡利弊
• NANDFLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型和低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性，密度和性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。在设计使用NANDFLASH的系统时，选择适当的特性平衡非常重要。闪存控制器还必须足够灵活，以进行适当的权衡。选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。闪存概述闪存单元由修改的场效应晶体管（FET）组成，在控制栅极和通道之间的绝缘层中具有额外的“浮置”栅极。通过施加高压将电荷注入到浮栅上（或从浮栅上去除）。这会改变打开晶体管所需的栅极...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NAND FLASH,FLASH,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-10 14:19:00

• 非易失性Flash详解
• Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为NorFlash和NandFlash两大类。NorFlashNorFlash的特点是芯片内执行(XIP)，应用程序可以直接在内存Flash内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NorFlash的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益。NandFlashNandFlash的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比较复杂。非易失性存储器–NorFlashNorFlas...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性Flash,Flash,Nor Flash,Nand Flash 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-07 14:24:00

• NandFlash结构及错误机制
• NandFlash是一种非易失性存储器,具有读写速度快.功耗低.存储密度高等优点,目前被广泛应用于电子产品中,如固态硬盘(SSD)、手机、数码相机等。进入21世纪以来,随着CPU主频以及IO频率的不断提高,传统硬盘由于读写速度慢等原因已经成为PC、服务器存储等领域发展的瓶颈。由于基于NandFlash的存储相比于传统硬盘存储具有体积小、读写速度快.抗震动强、温湿度适应范围宽等优点,NandFlash的市场份额正在迅速扩大,逐步取代传统硬盘。尤其在航天航空、国防军事等特殊的应用环境领域中,NandFlash已经成为存储设备的首选。NandFlash存储器内部是由存储单元“浮置栅晶体管”阵列排布...
• 所属专栏： 技术交流 标签： Nand Flash,Flash存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-26 15:02:00

• NANDFLASH的接口控制设计
• Nandflash是flash存储器的其中一种，Nandflash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NANDFLASH存储器具有容量较大和改写速度快等优点适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。本篇文章存储芯片供应商宇芯电子介绍关于NANDFlash的存储结构以及NANDFlash的接口控制设计。NANDFlash的存储结构大多数的NANDFlash都大同小异,所不同的只是该NANDFlash芯片的容量大小和读写速度等基本特性。块Block是NANDF...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NAND FLASH,FLASH 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-03 16:19:00

• NANDFlash和NORFlash的区别
• 1.1接口差别NORFlash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NORFlash进行访问，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NANDFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址，对NANDFlash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NANDFlash读/写操作采用512或2048字节的页。NORFlash是并行访问，NandFlash是串行访问，所以相对来说,前者的速度更快些。1.2容量和成本NORFlash的成本相对高﹐容量相对小，常见的...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NAND Flash,NOR Flash,Flash 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-02 14:13:00

• 使用高速SPINorFlash的FPGA配置
• NOR闪存广泛用作FPGA的配置设备。FPGA在工业和通信及汽车ADAS应用中的使用取决于NORFlash的低延迟和高数据吞吐量特性。快速启动时间要求的一个很好的例子是汽车环境中的摄像头系统。点火时后视图像在仪表板上显示的速度是一阶设计挑战。上电后的FPGA会立即加载已存储在NOR器件中的配置位流。传输完成后的FPGA转换为活动（已配置）状态。FPGA包含许多配置接口选项，通常包括并行的NOR总线和串行外围设备接口（SPI）总线。支持这些总线的存储器在不同制造商提供的产品之间始终存在很小的不兼容性，这使得存储设备的多来源采购更加困难。FPGA配置的历史FPGA首次面世时选择的配置存储器是并行...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SPI Nor Flash,Flash,FPGA 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-18 15:33:00

• 武汉新芯XM25QW非易失性spinorflash芯片
• 武汉新芯集成电路制造有限公司是国内紫光存储旗下一家领先的非易失性flash芯片存储供应商，武汉新芯宣布推出50nmFloatingGate工艺SPINORFlash宽电压产品系列XM25QWxxC。该产品系列支持低功耗宽电压工作范围，适用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用产品设计方案。XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），提供比其他供应商更快更强的性能，在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢。其传输速率优胜于8位和16位并行闪存。在连续读取模式下可以实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： 武汉新芯,XM25QW,非易失性spi nor flash芯片,flash芯片 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2019-12-24 15:42:00